午夜片无码AB区在线播放APP

登錄
首頁 >> 諸子百家 >> 歷史探究

中國科學院院士微電子技術專家李志堅逝世

話(hua)歷(li)史 2023-12-31 18:23:06

李志堅院士

2011年5月2日,中國科學院院士,微電子技術專家李志堅病逝,享年83歲。

李志堅院士(shi)(shi)(shi)(shi)作為清華大學(xue)(xue)微電子所(suo)(suo)的(de)(de)(de)創建人,作為微電子所(suo)(suo)最早的(de)(de)(de)博(bo)士(shi)(shi)(shi)(shi)生(sheng)導師,多年來培(pei)養了(le)1批(pi)如今(jin)活(huo)躍在國(guo)內(nei)外微電子行業(ye)中(zhong)的(de)(de)(de)專家和學(xue)(xue)者(zhe)。他(ta)指點(dian)的(de)(de)(de)博(bo)士(shi)(shi)(shi)(shi)生(sheng)鄒泉波的(de)(de)(de)論(lun)文(wen)獲(huo)『首屆全國(guo)優秀博(bo)士(shi)(shi)(shi)(shi)論(lun)文(wen)』,博(bo)士(shi)(shi)(shi)(shi)生(sheng)馬玉濤的(de)(de)(de)論(lun)文(wen)獲(huo)2003年『全國(guo)優秀博(bo)士(shi)(shi)(shi)(shi)論(lun)文(wen)』。李志堅院士(shi)(shi)(shi)(shi)不(bu)顧年事(shi)已(yi)高,不(bu)但對(dui)自(zi)己所(suo)(suo)培(pei)養的(de)(de)(de)研究生(sheng)事(shi)必親躬,而(er)且對(dui)微電子所(suo)(suo)的(de)(de)(de)教(jiao)學(xue)(xue)工作也(ye)給予了(le)仔細關注。李院士(shi)(shi)(shi)(shi)一直深受師生(sheng)愛戴,因他(ta)在教(jiao)學(xue)(xue)工作中(zhong)突出貢獻,取(qu)得了(le)2003年度清華大學(xue)(xue)『教(jiao)書育人獎(jiang)』。

中國科學院院士微電子技術專家李志堅逝世

李(li)志(zhi)堅(jian)院士(shi)510年代進(jin)(jin)行了薄膜(mo)電(dian)(dian)導和(he)光電(dian)(dian)導機理的研究,提出(chu)了多晶(jing)膜(mo)晶(jing)粒間電(dian)(dian)子(zi)勢壘(lei)模型。6、710年代,對(dui)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)初期硅(gui)器(qi)件技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)的發(fa)展作出(chu)了重要貢獻,810 年代,領導研制出(chu)硅(gui)柵N溝(gou)1K、4K靜(jing)態(tai)RAM和(he)8位(wei)、16位(wei)微(wei)(wei)處(chu)理器(qi)等(deng)電(dian)(dian)路。910年代領導建成(cheng)(cheng)我國(guo)(guo)首條1微(wei)(wei)米工藝線并(bing)研制出(chu)1兆位(wei)漢字ROM等(deng)1批超大 范(fan)(fan)圍集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(VLSI),這些成(cheng)(cheng)果代表了當時我國(guo)(guo)集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)的先進(jin)(jin)水平。李(li)院士(shi)提倡并(bing)參加(jia)發(fa)明(ming)的超大范(fan)(fan)圍集(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路快速熱處(chu)理技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)與裝置獲(huo)中(zhong)(zhong)國(guo)(guo)和(he)美國(guo)(guo)專 利3項,他主(zhu)持的國(guo)(guo)家(jia)重大科學基金(jin)項目系統集(ji)成(cheng)(cheng)基礎技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)研究獲(huo)得(de)了1批國(guo)(guo)際一(yi)流成(cheng)(cheng)果,曾取(qu)得(de)國(guo)(guo)家(jia)發(fa)明(ming)2等(deng)獎和(he)國(guo)(guo)家(jia)科技(ji)(ji)(ji)進(jin)(jin)步2等(deng)獎各1次,部委級科技(ji)(ji)(ji)進(jin)(jin) 步1、2等(deng)獎各2次。李(li)院士(shi)主(zhu)編(bian)出(chu)版了《半導體(ti)材料硅(gui)》、《MOS大范(fan)(fan)圍集(ji)成(cheng)(cheng)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)》、《微(wei)(wei)電(dian)(dian)子(zi)技(ji)(ji)(ji)術(shu)(shu)中(zhong)(zhong)的MOS物(wu)理》等(deng)書,在國(guo)(guo)內外發(fa)表了論文200余篇。

本文地址(zhi)://n85e38t.cn/lishitanjiu/152158.html.

聲明: 我(wo)們致力于(yu)保護作者(zhe)版(ban)權,注(zhu)重(zhong)分(fen)享(xiang),被刊用文(wen)章因無法(fa)核實(shi)真實(shi)出(chu)處,未能及時與(yu)(yu)作者(zhe)取得聯系,或有(you)版(ban)權異議的(de),請聯系管理員(yuan),我(wo)們會立即處理,本站部(bu)分(fen)文(wen)字與(yu)(yu)圖片資源(yuan)來自(zi)于(yu)網絡,轉載(zai)是出(chu)于(yu)傳遞更(geng)多信(xin)息之目的(de),若有(you)來源(yuan)標(biao)注(zhu)錯誤(wu)或侵犯了(le)您(nin)(nin)的(de)合法(fa)權益,請立即通(tong)知(zhi)我(wo)們(管理員(yuan)郵(you)箱:),情(qing)況屬實(shi),我(wo)們會第一時間予以(yi)刪除,并同時向(xiang)您(nin)(nin)表(biao)示歉意,謝謝!

上一篇:

下一(yi)篇:

相關文章